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新(xin)聞3月4日援引臺媒報(bao)道稱，英偉達H200、B100訂單強勁，臺積電3/4nm產能近滿載。

報道(dao)稱(cheng)，英偉達H200將(jiang)于第二季(ji)上市，B100采用Chiplet設計架構、已(yi)下單投片(pian)，H200及B100將(jiang)分別采臺積電4nm及3nm制程。法人指出，英偉達訂單強勁，臺積電3、4nm產(chan)能幾近滿載。

據悉，H200是首款提供HBM3e的(de)GPU。山西證券指(zhi)出(chu)，TSV是HBM的(de)核心(xin)，在(zai)HBM3D封(feng)裝成本(ben)中占比約30%。TSV技術通過垂直堆疊多個DRAM，能顯(xian)著提升存(cun)儲容量、帶寬并降低功耗。

作為實現3D先(xian)(xian)進封裝的關鍵技術之(zhi)一，對比wire bond疊層封裝，TSV可以(yi)提供(gong)更(geng)(geng)高的互連密度(du)和更(geng)(geng)短的數據(ju)傳(chuan)輸路徑(jing)，因(yin)此具(ju)有(you)更(geng)(geng)高的性(xing)能和傳(chuan)輸速度(du)。隨(sui)著摩爾定律(lv)放緩，芯片特征(zheng)尺寸接近(jin)物理極限,半導體器(qi)件的微型化也越來越依賴(lai)于集(ji)成TSV的先(xian)(xian)進封裝。

此外，B100采用(yong)了Chiplet設計(ji)(ji)架構(gou)。據民生證券，Chiplet技術(shu)應(ying)用(yong)于算(suan)力芯片領域有三大優勢(shi)：有助于大面(mian)積芯片降低成(cheng)本提升良率(lv);便于引入HBM存(cun)儲;允許更多計(ji)(ji)算(suan)核(he)心的“堆料”。目前Chiplet已成(cheng)為算(suan)力芯片的主流方案(an)，AMD、Intel等半導體巨頭共同成(cheng)立了UCIe產業聯盟(meng)。

其(qi)認為，Chiplet技術帶(dai)來(lai)國(guo)產供應鏈(lian)三(san)大機(ji)遇。在封(feng)(feng)測(ce)端(duan)，國(guo)產封(feng)(feng)測(ce)廠商有(you)望(wang)參與算力芯片Chiplet封(feng)(feng)裝(zhuang)供應鏈(lian);在設備端(duan)，來(lai)晶圓級封(feng)(feng)裝(zhuang)和后道封(feng)(feng)測(ce)設備需(xu)求增長;在材料(liao)端(duan)，帶(dai)來(lai)高(gao)速(su)封(feng)(feng)裝(zhuang)基板等高(gao)端(duan)封(feng)(feng)裝(zhuang)材料(liao)的用量增長。

公(gong)司方面，民(min)生證券(quan)表示(shi)包括：1)封測廠商(shang)——長(chang)電(dian)科(ke)技(ji)、通富微電(dian)、華天科(ke)技(ji)、甬矽電(dian)子、晶(jing)方科(ke)技(ji)、偉測科(ke)技(ji);2)封測設備廠商(shang)——長(chang)川科(ke)技(ji);3)封裝材料(liao)廠商(shang)——興森科(ke)技(ji)、華正(zheng)新材、華海誠科(ke)、方邦(bang)股份(fen)。

當前時點來(lai)看(kan)，半導體(ti)行(xing)業(ye)庫存去(qu)化顯著，且終端需求(qiu)逐漸回(hui)(hui)暖，全球及中國(guo)智(zhi)能手機出貨量同比回(hui)(hui)升(sheng)，相關(guan)產業(ye)鏈持續受益需求(qiu)增長，半導體(ti)行(xing)業(ye)景氣周期拐點或已(yi)顯現。