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1、發(fa)展(zhan)歷程分析：2016年為第三代(dai)半導體(ti)產業(ye)元年

第三(san)代(dai)半(ban)導體指禁帶寬度大于(yu)2.2eV的(de)半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)，也稱為寬禁帶半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)。半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)共經歷了三(san)個發(fa)展階段(duan)：第一階段(duan)是以硅(Si)、鍺(Ge)為代(dai)表的(de)第一代(dai)半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao);

第(di)(di)二(er)階(jie)段是以(yi)砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等(deng)(deng)(deng)化合物為代(dai)表;而以(yi)氮(dan)化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、等(deng)(deng)(deng)寬帶半(ban)導體原料為主的(de)第(di)(di)三代(dai)半(ban)導體材料，可以(yi)被(bei)廣泛應用于消(xiao)費電(dian)子(zi)、照明、新(xin)能源汽車(che)、導彈、衛(wei)星(xing)等(deng)(deng)(deng)各(ge)個領域(yu)，且具備(bei)眾(zhong)多的(de)優良性(xing)能，可突破第(di)(di)一、二(er)代(dai)半(ban)導體材料的(de)發展瓶頸，隨著技(ji)術的(de)發展有望全面取代(dai)第(di)(di)一、二(er)代(dai)半(ban)導體材料。

我國(guo)第三(san)代(dai)半(ban)導體(ti)產(chan)業(ye)發(fa)展(zhan)緣自2013年(nian)科技部(bu)863計劃(hua)(hua)，計劃(hua)(hua)將之列為戰略發(fa)展(zhan)產(chan)業(ye)。2016年(nian)國(guo)務院國(guo)家新產(chan)業(ye)發(fa)展(zhan)領(ling)導小組將其列為重(zhong)點發(fa)展(zhan)方向，除此之外，福建等27個地區陸續推(tui)出(chu)近30條(tiao)第三(san)代(dai)半(ban)導體(ti)產(chan)業(ye)相(xiang)關政策(ce)，2016年(nian)為第三(san)代(dai)半(ban)導體(ti)產(chan)業(ye)元(yuan)年(nian)。

2019年，國(guo)家級(ji)戰略《長江(jiang)三角(jiao)洲區(qu)域(yu)一(yi)體(ti)化(hua)發展(zhan)(zhan)規(gui)劃綱要》明確(que)要求長江(jiang)三角(jiao)洲區(qu)域(yu)加快培育布局第(di)三代半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)業(ye)(ye)。2020年，我國(guo)計劃把大(da)力支(zhi)持發展(zhan)(zhan)第(di)三代半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)業(ye)(ye)，寫入(ru)正在(zai)制定中的“十四五”規(gui)劃，計劃在(zai)2021-2025年期間，在(zai)教育、科研(yan)、開發、融資、應用等(deng)各個方(fang)面(mian)，大(da)力支(zhi)持發展(zhan)(zhan)第(di)三代半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)業(ye)(ye)，以期實現產(chan)業(ye)(ye)獨立自(zi)主。

對于第(di)三代(dai)半(ban)導體(ti)的發展，國(guo)(guo)內高度重視。2019年12月，國(guo)(guo)家(jia)級(ji)戰略(lve)《長江三角洲區域一體(ti)化發展規(gui)劃綱要》明(ming)確要求(qiu)加快培育布局第(di)三代(dai)半(ban)導體(ti)產業，推動制造業高質量(liang)發展。

2020年(nian)7月(yue)，《新時期促進(jin)集成電路產(chan)業和軟件產(chan)業高質量發展的(de)(de)若干政策》指(zhi)出國家鼓勵(li)的(de)(de)集成電路設計(ji)、裝(zhuang)備、材料、封(feng)裝(zhuang)、測試企業和軟件企業，自獲利年(nian)度起，第一年(nian)至(zhi)第二年(nian)免(mian)征企業所(suo)得(de)稅(shui)，第三(san)(san)年(nian)至(zhi)第五(wu)年(nian)按照(zhao)25%的(de)(de)法定(ding)稅(shui)率減半征收企業所(suo)得(de)稅(shui)。2020年(nian)，我(wo)國計(ji)劃(hua)把大(da)力支持發展第三(san)(san)代半導體產(chan)業，寫入正在制定(ding)中的(de)(de)“十四五(wu)”規劃(hua)。

2、產(chan)業鏈分析：各環節(jie)均有較多企(qi)業參與

第(di)三代(dai)半導體材(cai)料主要(yao)以氮化(hua)鎵(GaN)、碳化(hua)硅(SiC)為主。碳化(hua)硅(SiC)生(sheng)產過程分(fen)為SiC單晶生(sheng)長、外延層生(sheng)長及器件制造三大(da)步驟，對應的(de)是產業鏈(lian)襯底、外延、器件與(yu)模組(zu)三大(da)環節(jie)。

GaN產(chan)業(ye)鏈(lian)按環(huan)節(jie)分為Si襯底(di)(di)(di)(或GaN單晶襯底(di)(di)(di)、SiC、藍寶石)、GaN材料(liao)外延、器件設計、器件制造、封測以及(ji)應用。各個環(huan)節(jie)國內均有企業(ye)涉足(zu)，如在(zai)射頻領(ling)域，SiC襯底(di)(di)(di)生產(chan)商有天科(ke)合達(da)、山東(dong)天岳等(deng)，GaN襯底(di)(di)(di)有維微(wei)科(ke)技、科(ke)恒晶體、鎵鋁光電等(deng)公司。

外延片涉(she)足(zu)企業有晶湛半導體、聚能晶源、英諾(nuo)賽科等。蘇州能訊、四川益(yi)豐(feng)電子(zi)、中科院蘇州納米所等公司則同時涉(she)足(zu)多環節，力圖形成(cheng)全產業鏈公司。

3、市場規模：產能(neng)、規模高速增長

第三代(dai)半導體材料(liao)是5G時代(dai)的主要材料(liao)，與傳統的第一(yi)代(dai)、第二代(dai)半導體材料(liao)硅(Si)和砷化(hua)鎵(GaAs)相比，第三代(dai)半導體具(ju)有(you)禁帶寬(kuan)度(du)大、擊(ji)穿電(dian)(dian)場高、熱導率(lv)大等獨特性(xing)能，使其在光(guang)電(dian)(dian)器(qi)件、電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子、射(she)頻微波(bo)器(qi)件等方面展(zhan)現(xian)出巨(ju)大的潛(qian)力(li)。

在國家(jia)政策的大力支持下(xia)，國內(nei)第(di)三代半導體產(chan)(chan)線陸續開(kai)通，產(chan)(chan)能(neng)(neng)不斷增加。據CASA Research不完全(quan)統計，2019年，國內(nei)主要企業Si基(ji)GaN外(wai)延(yan)片(不含(han)LED)折(zhe)(zhe)算6英寸產(chan)(chan)能(neng)(neng)約(yue)(yue)為20萬片/年，Si基(ji)GaN器件(jian)(不含(han)LED)折(zhe)(zhe)算6英寸產(chan)(chan)能(neng)(neng)約(yue)(yue)為19萬片/年。SiC基(ji)GaN外(wai)延(yan)片折(zhe)(zhe)算4英寸產(chan)(chan)能(neng)(neng)約(yue)(yue)為10萬片/年，SiC基(ji)GaN器件(jian)折(zhe)(zhe)算4英寸產(chan)(chan)能(neng)(neng)約(yue)(yue)為8萬片/年。

SiC方面(mian)，國內主要企業導電(dian)型SiC襯底(di)折合4英寸(cun)(cun)產(chan)能(neng)約為50萬片(pian)/年，半絕(jue)緣SiC襯底(di)折合4英寸(cun)(cun)產(chan)能(neng)約為寸(cun)(cun)產(chan)能(neng)約為20萬片(pian)/年;SiC外(wai)延片(pian)折算6英寸(cun)(cun)產(chan)能(neng)約為20萬片(pian)/年。

2016-2019年我(wo)(wo)國SiC、GaN電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子(zi)產(chan)業值(zhi)持(chi)續提高(gao)。據CASA初(chu)步(bu)統計，2019年，我(wo)(wo)國SiC、GaN電(dian)(dian)力(li)子(zi)和微波射頻產(chan)值(zhi)(供給)超過60億元。2019年我(wo)(wo)國SiC、GaN電(dian)(dian)力(li)子(zi)產(chan)值(zhi)規模達26億元，同(tong)比(bi)增(zeng)長84%。

GaN微波射(she)頻產(chan)值方面，2016年(nian)9月科(ke)技部立(li)項國(guo)家重點研發計劃，旨在(zai)針對(dui)5G通(tong)信(xin)需(xu)求，建立(li)開放的(de)工藝(yi)代工線(xian)，實現GaN器(qi)件(jian)與電路在(zai)通(tong)信(xin)系統的(de)應用，推動我(wo)國(guo)第三(san)代半導體在(zai)射(she)頻功率(lv)領域的(de)可持續(xu)發展。我(wo)國(guo)GaN微波射(she)頻產(chan)值不斷(duan)增長，據CASA，2019年(nian)我(wo)國(guo)GaN微波射(she)頻產(chan)值規模近38億元，同比增長74%。

4、應(ying)用市場分析(xi)：主要應(ying)用于消費類(lei)電源和新(xin)能源汽車

從各應(ying)用(yong)(yong)市(shi)(shi)場來(lai)看，中國SiC、GaN電(dian)力電(dian)子(zi)器件主要應(ying)用(yong)(yong)于新能(neng)源汽車、消(xiao)費(fei)類電(dian)源和(he)工商(shang)業電(dian)源應(ying)用(yong)(yong)。在消(xiao)費(fei)電(dian)子(zi)方面(mian)，快充(chong)電(dian)源作為(wei)新應(ying)用(yong)(yong)帶來(lai)較大(da)的市(shi)(shi)場。

新能源汽(qi)車(che)方(fang)面，我國作(zuo)為全球最大(da)的(de)(de)新能源汽(qi)車(che)市場，隨(sui)著(zhu)下(xia)游特斯拉開始大(da)量推進SiC解決方(fang)案，國內的(de)(de)廠商(shang)也快(kuai)速跟進，以比(bi)亞迪為代(dai)表(biao)的(de)(de)整車(che)廠商(shang)開始全方(fang)位布(bu)局，推動第三半導體器件在(zai)汽(qi)車(che)領域的(de)(de)發展(zhan)。

5、投資布局分析(xi)：投資熱度居高不(bu)下

2019年(nian)(nian)，國內第三(san)代半導體(ti)產業投(tou)資(zi)(zi)(zi)熱度居(ju)高不下。據CASA，SiC投(tou)資(zi)(zi)(zi)14起，涉(she)及(ji)金額(e)(e)220.8億元(yuan);GaN投(tou)資(zi)(zi)(zi)3起，涉(she)及(ji)金額(e)(e)45億元(yuan)。全(quan)年(nian)(nian)已披(pi)露的投(tou)資(zi)(zi)(zi)擴(kuo)產金額(e)(e)達到265.8億元(yuan)(不含光電(dian))，較2018年(nian)(nian)同比增(zeng)長(chang)60%。

具體看國(guo)內(nei)部分(fen)重點第(di)三代半(ban)(ban)導體領域投(tou)資項(xiang)(xiang)目(mu)，2020年7月，長沙三安(an)光電第(di)三代半(ban)(ban)導體項(xiang)(xiang)目(mu)總投(tou)資160億(yi)元，主要建設具有自主知識(shi)產(chan)權的襯底(di)(碳(tan)化硅(gui))、外延、芯(xin)片及封(feng)裝產(chan)業生(sheng)產(chan)基地。項(xiang)(xiang)目(mu)建成達產(chan)后(hou)將(jiang)形成超百億(yi)元的產(chan)業規(gui)模，并帶動上下游配套產(chan)業產(chan)值(zhi)預計逾千億(yi)元。

2020年(nian)6月，深(shen)圳市同力實業有(you)限公司坪(ping)山半(ban)導(dao)體產(chan)業園(多彩(cai))項目預計(ji)投資(zi)50億元(yuan)，園區(qu)將集(ji)(ji)(ji)聚(ju)第三(san)(san)代半(ban)導(dao)體上(shang)下游產(chan)業鏈，形成集(ji)(ji)(ji)聚(ju)發展態勢(shi)。坪(ping)山集(ji)(ji)(ji)成電路及第三(san)(san)代半(ban)導(dao)體產(chan)業集(ji)(ji)(ji)聚(ju)已經漸成規(gui)模(mo)，集(ji)(ji)(ji)聚(ju)了中芯(xin)國際、比(bi)亞迪(中央研究院)、昂(ang)納科技、金泰克、基(ji)本半(ban)導(dao)體、拉(la)普拉(la)斯等重點企業。

區(qu)域方(fang)面(mian)，我國第三代半導體產業初步形成(cheng)了京津(jin)冀魯、長三角(jiao)(jiao)、珠三角(jiao)(jiao)、閩三角(jiao)(jiao)、中(zhong)西(xi)部等五(wu)大重點區(qu)域。據CASA，2015年(nian)下(xia)半年(nian)-2019年(nian)底期間，長三角(jiao)(jiao)區(qu)域第三代半導體產業具備集聚優勢，投(tou)資(zi)金額較多，達到715億(yi)元，其中(zhong)2019年(nian)投(tou)資(zi)總額超過107億(yi)元，占比達到43%，其次(ci)為中(zhong)西(xi)部區(qu)域，占比達25%。

我國(guo)第三(san)代(dai)(dai)半導體(ti)(ti)(ti)發展(zhan)雖然較晚，但(dan)是(shi)發展(zhan)速度較快。當前第三(san)代(dai)(dai)半導體(ti)(ti)(ti)產業(ye)政策呈現利好趨(qu)勢、產業(ye)鏈日趨(qu)完善、眾多企業(ye)積(ji)極參與，國(guo)內第三(san)代(dai)(dai)半導體(ti)(ti)(ti)產線、產能(neng)不斷增加(jia)，市場規(gui)模持(chi)(chi)續增加(jia)，應用市場不斷拓展(zhan)，投資熱(re)度持(chi)(chi)續高漲。整體(ti)(ti)(ti)而言，對(dui)于2020年的第三(san)代(dai)(dai)半導體(ti)(ti)(ti)產業(ye)發展(zhan)，總體(ti)(ti)(ti)趨(qu)勢向好。